埃赛力达硅雪崩光电二极管是一种半导体光探测器（光电二极管），工作在较高反向电压下，有时仅比阈值稍低。在这一范围内，吸收光子激发的载流子（电子和空穴）在很强的内部电场作用下加速，然后产生二次载流子，这在光电倍增管中经常发生。雪崩过程只发生在几微米的距离上，光电流就能被放大很多倍。因此，埃赛力达硅雪崩光电二极管可以用作非常灵敏的探测器，只需要较少的电子信号放大，因此电子噪声也比较小。但是，雪崩过程本身就存在量子噪声和放大器噪声，因此会抵消之前提到的优势。附加噪声可以由附加噪声系数F来定量描述，它是表征与理想光探测器相比电子噪声功率提高的因子。
需要注意的是，放大因子以及APD的有效响应度与反向电压非常相关，并且不同器件对应的值不同。因此，常用的做法是表征某一电压范围，其中所有的器件都能达到一定的响应度。
埃赛力达硅雪崩光电二极管的探测带宽可能非常高，主要是其灵敏度很高，可以使用比普通光电二极管中更小的分流电阻。
一般来讲，需要探测带宽很高时，APD的噪声特性比普通的PIN型光电二极管要好，然后探测带宽较低时，PIN型光电二极管和一个低噪声的窄带放大器性能更好。放大因子越高，附加噪声系数越高，这都是提高反向电压得到的。因此，通常选择反向电压满足倍增过程噪声约等于电子放大器的噪声，因为这样会使总的噪声最小。附加噪声的大小与很多因子有关：反向电压的大小，材料性质（尤其是，电离系数比）和装置设计。
埃赛力达硅雪崩光电二极管在450-1000nm（有时可以达到1100nm）波长区域比较敏感，最高响应度在600-800nm范围内，即该波长区域波长略小于Si p-i-n二极管。根据器件设计和施加的反向电压不同，Si APD的倍增因数（也称为增益）在50到1000之间变化。对于更长的波长，APD需要采用锗或者铟镓砷材料。它们具有更小的电流倍增因数，在10到40之间。InGaAs APDs比Ge APDs更加昂贵，但是具有更好的噪声特性和更高的探测带宽。
埃赛力达硅雪崩光电二极管的典型应用包括光纤通信中的接收器，测距，成像，高速激光扫描仪，激光显微镜和光学时域反射计（OTDR）。
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